Главная страница » Кафедра » Запорожець Тетяна Василівна

Запорожець Тетяна Василівна

  • Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук
  • Посада: доцент кафедри фізики
  • Електронна пошта: zaptet@ukr.net
  • Телефон: (0472) 37-12-20
  • Наукові інтереси: 
  • Дисципліни:

Наукова біографія

У 1995 році закінчила фізико-математичний факультет Черкаського педагогічного інституту за спеціальністю «математика».
1995-1999 рр. — навчалася в аспірантурі інституту за спеціальністю «фізика твердого тіла».
У 1999 році захистила кандидатську дисертацію „Динамічне моделювання процесів атомної міграції в ГЦК-кристалах” (науковий керівник проф. Гусак А. М.).
У 2003 році отримала вчене звання доцента кафедри теоретичної фізики.
2008-2011 рр. — навчалася в докторантурі університету за спеціальністю «фізика твердого тіла».
Викладає з 1995 року. Розробила та читає лекційні курси „Комп’ютерне моделювання фізичних процесів”, «Комп’ютерне моделювання у шкільному курсі фізики», «Мови програмування”, „Дискретна математика та математична логіка”. Керує бакалаврськими, дипломними, магістерськими роботами. Працює з аспірантами, а також зі школярами в рамках Малої академії наук.

Публікації:

Публікації по ВСС у мультишарових плівках:
1. Запорожец Т. В., Гусак А. М., Устинов А. И. / Условия распространения фронта СВС-реакции в нанослойных фольгах, контактирующих с теплопроводящим материалом / The Paton welding Journal – 2011. – №8– P.37-41.
2. Zaporozhets T. V., Gusak A. M. Role of finite vacancy relaxation rate at SHS reactions in nanosized multilayers //Defect and Diffusion Forum. – 2011. – V. 309-310. – P.215-222. DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.309-310.215
3. Zaporozhets T. V., Gusak A. M., Ustinov A. I. SHS reactions in nanosized multilayers – analytic model versus numeric model // International Journal of Self_Propagating High_Temperature Synthesis. –  2010. –  Vol. 19, No. 4. – P. 227–236. DOI: 10.1080/09500839.2011.616180
4. Запорожец Т.В., Гусак А.М, Устинов А.И. Моделирование стационарного режима реакции СВС в нанослойных материалах (феноменологическая модель). 1. Одностадийная реакция // Современная электрометаллургия. – 2010. – Т.1. – С. 40 46.

Публікації по еволюції наноооболонок:
5. A.M.Gusak, F.Hodaj, T.Zaporozhets Thermodynamics of the Void Nucleation in Nanoparticles// Philosophical Magazine Letters. – 2011. DOI:10.1080/09500839.2011.616180
6. Подолян О. М., Запорожець Т. В. Формування та стягування порожнин у нанодротинках – дві стадії єдиного процесу// Український фізичний журнал. – 2011. – Т.56, №9. – C.933-943.  http://ujp.bitp.kiev.ua/files/file/papers/56/9/560909pu.pdf  
7. Gusak A.M.,  Zaporozhets T.V.,  Lyashenko Yu. O., Kornienko, S., Pasichnyy, M.O., Shirinyan, A.S. Diffusion-controlled Solid State Reactions in Alloys, Thin-Films, and Nanosystems, Wiley-VCH, Berlin (2010). Монографія
8. Gusak A.M., Zaporozhets T.V. Hollow nanoshell formation and collapse in binary solid solutions with large range of solubility // J. Phys.: Condens. Matter. – 2009. – V.21. – Р. 415303-415313.   DOI: 10.1088/0953-8984/21/41/415303
9. Gusak A.M., T.V. Zaporozhets, K.N. Tu, and Goesele U. Kinetic analysis of the instability of hollow nanoparticles // Philosophical Magazine. – 2005. – V.85. – P. 4445-4464. DOI: 10.1080/14786430500311741

Публікації по електроміграції нанопор:
10. Gan Zhenghao, Gusak A.M., Shao W., Chen Zhong, and Mhaisalkar S.G., Zaporozhets T., Tu K.N. Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects // J. Mater. Res. – 2007. – V. 22, No. 1. – P. 152-156.  DOI: 10.1557/JMR.2007.0001
11. Z. H. Gan, W. Shao, M. Y. Yan, A. V. Vairagar, T. Zaporozhets, M. A. Meyer, A. Krishnamoorthy, K. N. Tu, A. Gusak, E. Zschech, and S. G. Mhaisalkar Understanding the Impact of Surface Engineering, Structure, and Design on Electromigration through Monte Carlo Simulation and In-Situ SEM Studies // AIP Conf. Proc. – 2006. – V. 817, No. 1. – P. 34-42.  DOI: 10.1063/1.2173529
12. Гусак А.М., Запорожець Т.В., Пасічний М.О. Твердофазні реакції – нове розуміння старих проблем // Фундаментальні орієнтири науки: Хімія та наукові основи перспективних технологій. – Київ: Академперіодика, 2005. – С. 282-303. (Вісник Черкаського університету. – 2005. – Вип. 79. – С. 25 -50)
13. Zaporozhets T.V., A.M. Gusak, K.N. Tu, and Mhaisalkar S.G. Three-dimensional Simulation of Electromigration – Induced Void Migration at Dielectric — Metallic Thin Film Interfaces // Journal of Applied Physics. – 2005. – V.98 – P. 103508-10.  DOI: 10.1063/1.2131204
14. A. V. Vairagar,  S. G. Mhaisalkar, A. Krishnamoorthy,  K. N. Tu, A. M. Gusak,  T. Zaporozhets,  M. A. Meyer, and E. Zschech Study of Electromigration Induced Void Nucleation, Growth, and Movement in Cu Interconnects // AIP Conf. Proc. – 2004. – V. 741, No. 1. – P. 135-147.  DOI: 10.1063/1.1845843

Публікації по ударному навантаженню:
15. A. M. Gusak, A.Bogatyrev, A.Kovalchuk, S.Kornienko, Gr.Lucenko, Yu.Lyashenko, A.Shirinyan, T.Zaporozhets Nucleation in Nanosystems: Some New Concepts // Usp. Fiz. Met., v. 5, 433-502 (2004).
16. А.М.Гусак, А.О.Богатырев, Т.В.Запорожец, А.А.Ковальчук, С.В.Корниенко, Г.В.Луценко, Ю.А.Ляшенко, А.С.Ширинян Модели твердофазных реакцій. Черкаси: ЧНУ, 2004. – 314 с. Монографія
17. T.V. Zaporozhets MD-Simulation of diffusion and Structural Transformations Under Pulse Loading // Proceedings of DT02 (International conference “Diffusion and thermodynamics of materials”, Institute of Physics of Materials, Brno, Czech Republic, September 2002), p.216–220.
18. D.S. Gertzricken, T.V. Zaporozhets, A.M. Gusak Possible Mechanism of anomalous masstransfer under pulse loading // Defect and Diffusion Forum – Vols. 194–199 (DIMAT-2000, Paris), 1469–1476. 10.4028/www.scientific.net/DDF.194-199.1469

Методичні видання:
19. Гусак А.М., Гриценко В.Г., Запорожець Т.В. Статистична фізика – основні положення та моделі. Черкаси: ЧДУ, 1998. – 288 с.
20. Запорожець Т.В., Луценко Г.В. ПК. Апаратне забезпечення. Черкаси: ЧДУ, 2003. – 168 с.